[发明专利]基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610228623.3 申请日: 2016-04-13
公开(公告)号: CN105930300A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 谢成民;怡磊;单光宝;刘松 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: G06F15/76 分类号: G06F15/76
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李宏德
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种基于三维片内缓存的处理器结构及其制备方法,所述处理器结构包括处理器本体,以及堆叠设置在处理器本体上的三维堆叠缓存;三维堆叠缓存包括译码器,多路选择器,灵敏放大器和三维存储模块;三维存储模块由若干个大小相同的缓存子模块堆叠形成;每层缓存子模块之间通过TSV孔将对应的内部地址线互连,三维存储模块内部地址线中的字线连接译码器,每层缓存子模块内部地址线中的位线分别连接一个多路选择器;所有多路选择器的输出端经TSV孔互连后与灵敏放大器的输入端连接;多路选择器上设置有用于控制其是否工作的使能信号OE;译码器的输入端和灵敏放大器的输出端、以及使能信号OE分别与处理器本体连接。
搜索关键词: 基于 三维 缓存 处理器 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
基于三维片内缓存的处理器结构,其特征在于,包括由逻辑运算单元和控制单元组成的处理器本体(14),以及堆叠设置在处理器本体(14)上的三维堆叠缓存(15);所述的三维堆叠缓存(15)包括译码器,多路选择器(6),灵敏放大器(5)和三维存储模块(4);三维存储模块(4)由若干个大小相同的缓存子模块堆叠形成;每层缓存子模块之间通过TSV孔将对应的内部地址线(1)互连,三维存储模块(4)内部地址线(1)中的字线连接译码器,每层缓存子模块内部地址线(1)中的位线分别连接一个多路选择器(6);所有多路选择器(6)的输出端经TSV孔互连后与灵敏放大器(5)的输入端连接;多路选择器(6)上设置有用于控制其是否工作的使能信号OE(7);译码器的输入端和灵敏放大器(5)的输出端、以及使能信号OE(7)分别与处理器本体(14)连接。
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