[发明专利]热辅助磁记录叠瓦式磁记录型存储设备的分区内磨损平衡在审
| 申请号： | 201610223420.5 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105938421A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | Z·Z·班迪克;L·M·弗兰卡-内托;C·盖约特;A·C·曼扎内尔斯;B·马乔恩;E·施雷克 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种热辅助磁记录‑叠瓦式磁记录(HAMR‑SMR)型存储设备，其包括控制模块和被划分为分区的一个或多个磁记录层。该控制模块被配置以开始于该分区的初始逻辑地址写入初始数据。该分区的初始逻辑地址对应于该分区的初始物理地址。响应于从关联于该HAMR‑SMR型存储设备的主机接收到复位该分区并且写入后续数据的命令，该控制模块将该分区的初始逻辑地址复位为该分区的后续物理地址；并且在复位初始逻辑地址之后，开始于该分区的初始逻辑地址写入后续数据。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 记录 叠瓦式磁 存储 设备 区内 磨损 平衡 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：通过热辅助磁记录‑叠瓦式磁记录(HAMR‑SMR)型存储设备的控制模块写入初始数据，其中从该HAMR‑SMR型存储设备的记录层的分区的初始逻辑地址开始写入该初始数据，其中该初始逻辑地址对应于该分区的初始物理地址；并且响应于从关联于该HAMR‑SMR型存储设备的主机接收到复位该分区并且写入后续数据的命令：通过该控制模块将该分区的初始逻辑地址复位为该分区的后续物理地址；并且在复位初始逻辑地址之后，通过该控制模块开始于该分区的初始逻辑地址写入后续数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HGST荷兰公司，未经HGST荷兰公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610223420.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
