[发明专利]表面贴装整流器件

摘要

本发明一种表面贴装整流器件，包括位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片，该第一引线条一端是与二极管芯片连接的支撑区，所述二极管芯片一端通过焊锡膏与该支撑区电连接；靠近所述绝缘钝化保护层内侧的重掺杂N型区区域开有一U形凹槽，此重掺杂N型区下表面且位于U形凹槽正下方具有一向下的凸起部，裸露出的所述重掺杂N型区和U形凹槽的表面覆盖作为电极的第一金属层；所述连接片的第二焊接端为由若干个波峰面和波谷面交替排列组成的波浪形表面。本发明表面贴装整流器件增加了接触面积，连接片与引线接触区将增加了65%以上，二极管器件与PCB焊接强度提高，从而提高了拉伸强度并改善了电性能。

主权项

一种表面贴装整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是引脚区（61），该第一引线条（1）的引脚区（61）作为所述整流器的电流传输端；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为引脚区（62），该第二引线条（2）的引脚区（62）作为所述整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面具有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周具有沟槽（44），此沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），此绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面的边缘区域，重掺杂P型区（41）表面覆盖作为另一个电极的第二金属层（47）；其特征在于：靠近所述绝缘钝化保护层（45）内侧的重掺杂N型区（42）区域开有一U形凹槽（48），此重掺杂N型区（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方具有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重掺杂N型区（42）和U形凹槽（48）的表面覆盖作为电极的第一金属层（46）；所述连接片（3）的第二焊接端（32）为由若干个波峰面（13）和波谷面（14）交替排列组成的波浪形表面，该波浪形表面通过焊锡膏层（15）与二极管芯片（4）电连接，所述连接片（3）的波浪形表面末端位于U形凹槽（48）正上方。