[发明专利]防短路整流器件

摘要

本发明一种防短路整流器件，其包括表面具有重掺杂N型区的重掺杂P型单晶硅片，此重掺杂N型区与重掺杂P型单晶硅片接触，重掺杂N型区四周具有沟槽，此沟槽位于重掺杂P型单晶硅片和重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片的中部；所述沟槽的表面覆盖有绝缘钝化保护层；靠近所述绝缘钝化保护层内侧的重掺杂N型区区域开有一U形凹槽，此重掺杂N型区下表面且位于U形凹槽正下方具有一向下的凸起部，裸露出的所述重掺杂N型区和U形凹槽的表面覆盖作为电极的第一金属层。本发明器件焊接面得到了13%以上的扩大，使芯片面积从现有的80mil下降到60‑65mil，在不影响过压保护能力的情况下，芯片成本下降了11%，大功率器件焊机良率达到97%以上。

主权项

一种防短路整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是引脚区（61），该第一引线条（1）的引脚区（61）作为所述整流器的电流传输端；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为引脚区（62），该第二引线条（2）的引脚区（62）作为所述整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面具有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周具有沟槽（44），此沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），此绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面的边缘区域，重掺杂P型区（41）表面覆盖作为另一个电极的第二金属层（47）；其特征在于：靠近所述绝缘钝化保护层（45）内侧的重掺杂N型区（42）区域开有一U形凹槽（48），此重掺杂N型区（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方具有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重掺杂N型区（42）和U形凹槽（48）的表面覆盖作为电极的第一金属层（46）。