[发明专利]等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。

主权项

一种等离子体处理装置，用于处理基板，上述等离子体处理装置包括：筒状腔室，其被配置为收容基板；移动电极，其用作上部电极的喷头，并且被配置为在上述筒状腔室内沿着上述筒状腔室的中心轴线能够移动，其中上述移动电极与上述筒状腔室的侧壁处于不接触状态；对置电极，其被配置为在上述筒状腔室内与上述移动电极相对；挠性阻挡层，其被配置为使上述移动电极连接至上述筒状腔室的一侧的顶壁；以及分流构件，其由导电性材料构成，并且被配置为随着上述移动电极的移动而变形，并且被安装成使上述移动电极直接接触上述筒状腔室的侧壁或一侧的顶壁，以消除上述移动电极与上述筒状腔室的侧壁或顶壁之间的电位差，其中，向上述上部电极施加高频电力，并且向位于上述移动电极和上述对置电极之间的处理空间导入处理气体，以及上述分流构件配置在具有预定直径且与上述挠性阻挡层同心的圆的圆周上，使得包括上述挠性阻挡层的上述移动电极整体的共振频率的值被控制成在上述移动电极的可工作范围内与用于生成等离子体的施加电力的频率不相重叠。