[发明专利]用于控制多孔硅腐蚀深度的方法在审
| 申请号： | 201610212923.2 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105755528A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郑金成;付攀 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 用于控制多孔硅腐蚀深度的方法，涉及多孔硅材料。1)将硅片放入H2SO4和H2O2混合溶液中加热，然后将硅片取出按照先热水后冷水冲洗的顺序反复冲洗，最后将硅片置于HF和H2O混合溶液中晃动，去除残留在硅片表面的氧化物，取出后冲洗，吹干；2)在步骤1)得到的硅片未抛光面磁控溅射Al膜，用于与直流电源的正极相接；3)将步骤2)得到的Al膜表面与电解槽底部接触，从而与直流电源正极连接，并把金属铂插入电解液中作为负极，腐蚀后得到多孔硅；4)将步骤3)得到的样品冲洗，烘干，得多孔硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 多孔 腐蚀 深度 方法 | ||
【主权项】：
用于控制多孔硅腐蚀深度的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片放入H2SO4和H2O2混合溶液中加热，然后将硅片取出按照先热水后冷水冲洗的顺序反复冲洗，最后将硅片置于HF和H2O混合溶液中晃动，去除残留在硅片表面的氧化物，取出后冲洗，吹干；2)在步骤1)得到的硅片未抛光面磁控溅射Al膜，用于与直流电源的正极相接；3)将步骤2)得到的Al膜表面与电解槽底部接触，从而与直流电源正极连接，并把金属铂插入电解液中作为负极，腐蚀后得到多孔硅；4)将步骤3)得到的样品冲洗，烘干，得多孔硅。
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