[发明专利]极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器及其设计方法在审
| 申请号： | 201610208024.5 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105870315A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金彪兵;杨萌萌;朱广浩 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/14;G01J1/44;G06F17/50;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器，包括硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔、NbN纳米线和耦合反对称分裂环谐振器，其中由下至上依次为所述硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔以及耦合反对称分裂环谐振器，所述NbN纳米线位于二氧化硅介质腔内部，所述NbN纳米线包括多个周期排列的单元结构，所述耦合反对称分裂环谐振器呈周期排列。本发明还公开了一种上述探测器的设计方法。本发明结构简单、新颖，使用的超导材料NbN纳米线宽度大，占空比高，对近红外波的单光子探测效率高，计数速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 极化 敏感 高效 导纳 米线 光子 探测器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔、NbN纳米线和耦合反对称分裂环谐振器，其中由下至上依次为所述硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔以及耦合反对称分裂环谐振器，所述NbN纳米线位于二氧化硅介质腔内部，所述NbN纳米线包括多个周期排列的单元结构，所述耦合反对称分裂环谐振器呈周期排列。
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