[发明专利]混合型多晶硅异质结背接触电池

摘要

本发明公开了一种用于制造高效率太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板的背面上设置薄介质层和掺杂多晶硅层。随后，可在所述硅基板的所述背面和正面上形成高质量氧化物层和宽带隙掺杂半导体层两者。然后可执行金属化工艺以穿过接触开口将金属指状物镀覆在所述掺杂多晶硅层上。所述镀覆的金属指状物可形成第一金属格栅线。可通过将金属直接镀覆在所述硅基板的所述背面上的发射体区来形成第二金属格栅线，从而消除了用于所述第二金属格栅线的接触开口的需要。在这些优点中，所述用于制造太阳能电池的方法为制造高效率太阳能电池提供了减少的热工艺、减少的蚀刻步骤、提高的效率和简化的工序。

主权项

1.一种用于制造包括硅基板的太阳能电池的方法，所述硅基板具有被构造为在正常工作过程中面向太阳的正面和与所述正面相对的背面，并且所述方法包括：提供硅基板，所述硅基板在所述背面上具有薄介质层，并且在所述薄介质层上具有掺杂硅层；在所述掺杂硅层上形成氧化物层；按照叉指状图案部分地移除所述氧化物层和所述掺杂硅层；蚀刻所露出的硅基板以形成纹理化的硅区；通过在氧化环境中加热所述硅基板而在所述太阳能电池的所述背面上生长硅氧化物层，其中所述掺杂硅层被晶化而形成掺杂多晶硅层；将宽带隙掺杂非晶硅和抗反射涂层沉积在所述太阳能电池的所述正面和所述背面上；部分地移除所述抗反射涂层、所述宽带隙掺杂非晶硅和所述氧化物层以形成一系列接触开口；在所述太阳能电池的所述背面上形成第一金属格栅和第二金属格栅，所述第一金属格栅电耦合至所述掺杂多晶硅并且所述第二金属格栅电耦合至所述叉指状图案的一部分。