[发明专利]半色调相移掩模坯和半色调相移掩模有效
| 申请号: | 201610195663.2 | 申请日: | 2016-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN106019810B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 笹本纮平;高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供半色调相移掩模坯,包括透明基板和半色调相移膜,该半色调相移膜由具有至少90at%的Si+N+O含量、30‑70at%的Si含量、30‑60at%的N+O含量和30at%以下的O含量的硅基材料组成,并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄,在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。 | ||
| 搜索关键词: | 色调 相移 掩模坯 | ||
【主权项】:
半色调相移掩模坯,包括透明基板和其上的半色调相移膜,相对于波长200nm以下的光,该半色调相移膜具有150°‑200°的相移和3%‑30%的透射率,其中所述半色调相移膜为单层或多层膜,每一层主要地包括硅和氮并且任选地包括氧,该半色调相移膜为单层时,整个单层由硅基材料组成,或者该半色调相移膜为多层膜时,其厚度的至少60%由硅基材料组成,所述硅基材料具有至少90at%的硅、氮和氧的总含量、30‑70at%的硅含量、30‑60at%的氮和氧的总含量、30at%以下的氧含量和1at%以下的过渡金属含量,并且所述半色调相移膜具有70nm以下的厚度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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