[发明专利]包括辅助沟槽结构的半导体器件和集成电路有效
| 申请号： | 201610194228.8 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106024891B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40;H01L27/06;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包括辅助沟槽结构的半导体器件和集成电路。半导体器件（100）的实施例包括在半导体本体（102）中的沟槽晶体管单元阵列（101）。半导体器件（100）进一步包括沟槽晶体管单元阵列（101）的边缘终端区域（103）。至少两个第一辅助沟槽结构(1051,1052)从第一侧（107）延伸到半导体本体（102）中并且沿横向方向x连续布置。所述边缘终端区域（103）沿所述横向方向（x）布置在所述沟槽晶体管单元阵列（101）和所述至少两个第一辅助沟槽结构（1051,1052）之间。在所述至少两个第一辅助沟槽结构(1051,1052)中的第一辅助电极（117）电连接在一起并与沟槽晶体管单元阵列（101）的沟槽（110）中的电极(1091,1092)电解耦。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 辅助 沟槽 结构 半导体器件 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件（100），包括：在半导体本体（102）中的沟槽晶体管单元阵列（101），所述沟槽晶体管单元阵列（101）的边缘终端区域（103），至少两个第一辅助沟槽结构（1051, 1052），从第一侧（107）延伸到所述半导体本体（102）中并且沿横向方向（x）连续布置，其中所述边缘终端区域（103）沿所述横向方向（x）布置在所述沟槽晶体管单元阵列（101）和所述至少两个第一辅助沟槽结构（1051, 1052）之间，在所述至少两个第一辅助沟槽结构(1051, 1052)中的第一辅助电极（117）电连接在一起并且与所述沟槽晶体管单元阵列（101）的沟槽（110）中的电极(1091, 1092)电解耦，其中所述第一辅助电极（117）电连接到所述沟槽晶体管单元阵列（101）的漏极接触（L2），或者电连接到与所述半导体本体（102）的半导体衬底电连接的衬底接触（S），或者电连接到在与所述第一侧（107）相对的所述半导体本体的第二侧处的接触（RS）。
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