[发明专利]一种肖特基二极管在审
| 申请号： | 201610189447.7 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105655412A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周明 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢霞 |
| 地址： | 226600 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。本发明的肖特基二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。
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