[发明专利]引线框架上的衬底中介层有效
| 申请号： | 201610184429.X | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024643B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | E·A·卡巴哈格;M·C·Y·奎诺尼斯;M·C·伊斯塔西欧;R·N·马纳塔德;吴宗麟;J·特耶塞耶雷 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司;快捷半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在一个一般方面涉及一种器件，所述器件可包括引线框架、中介层和重新分布层，所述引线框架包括外部输入端或外部输出端中的至少一者，所述中介层由绝缘材料制成，所述重新分布层耦合到所述中介层并且由导电材料制成。所述重新分布层可包括多条迹线。所述器件还可包括半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述重新分布层和所述引线框架之间。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 框架 衬底 中介 | ||
【主权项】：
一种器件，所述器件包括：引线框架，所述引线框架包括外部输入端或外部输出端中的至少一者；中介层，所述中介层由绝缘材料制成；重新分布层，所述重新分布层耦合到所述中介层并且由导电材料制成，所述重新分布层包括多条迹线；以及半导体晶粒，所述半导体晶粒设置在所述重新分布层和所述引线框架之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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