[发明专利]超三维石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201610178422.7 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105836735A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 宁静;王东;张进成;陆芹;穆美珊;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于合金电化学和化学气相沉积相结合制备超三维石墨烯的方法，主要解决目前制备的三维石墨烯的孔的层次单一，比表面积较低，制备过程较为复杂的问题。其制备过程是：首先，采用电化学沉积法在商用三维泡沫金属上沉积另一种金属，再高温退火使其合金化；然后，进行电化学选择性腐蚀，制备多层次多通道孔网状结构的超三维合金骨架；接着采用化学气相沉积法在合金骨架上生长石墨烯；最后，去除合金衬底，得到自支撑超三维石墨烯。本发明工艺简单，制备得到的石墨烯具有超高比表面积，可用于半导体材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
超三维石墨烯的制备方法，包括以下步骤：(1)将商用三维泡沫金属压制成薄片，依次进行基底预处理和电化学沉积另一种金属，再将其放置于CVD管式炉中进行800～1100℃的高温退火0.5～2小时，得到合金；(2)采用电化学三电极测试单元，对(1)得到的合金进行电化学选择性腐蚀，电腐蚀电压为0.2～1V，时间为200～1500秒，制备得到具有多层次多通道孔网状结构的超三维合金骨架；(3)采用化学气相沉积法，在腐蚀好的合金上生长石墨烯，得到三维石墨烯/合金；(4)将三维石墨烯/合金置于1M FeCl3和2M HCl的混合溶液中，并保持溶液温度不变，去除合金衬底，再用去离子水冲洗干净得到自支撑超三维石墨烯。
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