[发明专利]一种三维原子探针样品的制备方法

摘要

本发明涉及一种三维原子探针样品的制备方法，所述方法包括以下工艺步骤：(1)将感兴区域喷Pt，用聚焦离子束配合机械手提取感兴区域；(2)三维原子探针支架修整成为要求形状；(3)将提取出来的感兴区域样品用Pt焊接到修整后的针尖上；(4)用聚焦离子束加工感兴区域至三维原子探针要求的尺寸。本发明方法可以快速、精确、直观地制备出感兴区域的三维原子探针样品，克服了传统电解抛光制备方法无法定位感兴区域的缺点，同时解决了用聚焦离子束制备三维原子探针样品在做测试时容易折断的问题，且本发明利用探针作支架，成本低，操作方便。

主权项

1.一种三维原子探针样品的制备方法，其特征在于：包括以下工艺步骤：(1)将感兴区域喷Pt，喷Pt厚度为2.5μm‑4μm；用聚焦离子束配合机械手提取感兴区域，切割样品下边缘时样品台倾转角为0度；(2)将三维原子探针支架修整成为要求形状，具体步骤如下：1)倾转样品台，使探针支架表面法线方向与离子束方向夹角为38度，用离子束修出一个平面；2)将样品台倾转到0度，再旋转180度，然后样品台倾转10度，用离子束将针尖表面上边三分之一切除；3)将样品台倾转到0度，再旋转到0度；(3)将提取出来的感兴区域样品用Pt焊接到修整后的针尖上，焊接Pt时要确保样品下边缘与探针针尖上边缘距离控制在50nm‑150nm之间，焊接时设置喷Pt区域的上边缘与探针针尖上边缘重合或低于上边缘；(4)用聚焦离子束加工感兴区域至三维原子探针测试要求的尺寸，精修针尖时所设内外圆直径相差不超过100nm。