[发明专利]中高压集成电路中的降压电路在审
| 申请号： | 201610175528.1 | 申请日： | 2016-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105656294A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 唐伟;李曙生;周国付 | 申请（专利权）人： | 泰州亚芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225300 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种中高压集成电路中的降压电路，为集成电路中的低压控制部分的提供电源，该降压电路包括MOS管N1、电容C1，其特征是，MOS管N1的漏极接外部供电的高压电源的输入端VCC，MOS管N1的源极通过电容C1接地，MOS管N1的源极为低压电源的输出端VDD向内部控制电路部分供电，MOS管N1的衬底接地，MOS管N1的栅极与一控制电压信号相连接，所述的MOS管为高压型N沟道耗尽管或零伏本征管，所述的控制电压信号的电压值≥0V。该降压电路结构简单、可靠，静态电流消耗小，具有良好的降压和稳压的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 集成电路 中的 降压 电路 | ||
【主权项】：
一种中高压集成电路中的降压电路，其包括MOS管N1、电容C1，其特征是，MOS管N1的漏极接外部供电的高压电源的输入端VCC，MOS管N1的源极通过电容C1接地，MOS管N1的源极为低压电源的输出端VDD向内部控制电路部分供电，MOS管N1的衬底接地，MOS管N1的栅极与一控制电压信号相连接，所述的MOS管为高压型N沟道耗尽管或零伏本征管，所述的控制电压信号的电压值≥0V。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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