[发明专利]一种基于横向梯度多层膜反射元件的X射线单能成像方法在审
申请号: | 201610164479.1 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN105873344A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 程显超;阳庆国;程晋明;祁双喜;朱鹏飞;叶雁;彭其先 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
主分类号: | H05H1/00 | 分类号: | H05H1/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;吴彦峰 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于横向梯度多层膜反射元件的X射线单能成像方法,该方案针对一定发射度的点发射X射线光源,通过元件参数的特殊设计,使多层膜上各个位置处都满足对同一光子能量的反射/衍射,达到X射线单能成像的目的。本发明克服了采用具有对数螺旋面型的晶体元件作为反射元件,受反射元件面型的影响而具有较大像差的劣势,同时,多层膜元件的带宽较大,反射光子通量较高,其在线调节也相对容易。本发明应用于X射线单能成像领域,包括Z箍缩、ICF过程中的等离子体自发光成像,点投影背光成像,和基于实验室X射线光源的吸收衬度成像和相位衬度成像等。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 横向 梯度 多层 反射 元件 射线 成像 方法 | ||
【主权项】:
一种基于横向梯度多层膜反射元件的X射线单能成像方法,包括有由自发光物体和小孔组成的发光源,发光源出射X射线的发射角为α,X射线照射在长度为l的多层膜反射元件上,X射线光束在多层膜反射元件两端的掠入射角分别为θ1和θ2,其中θ1<θ2;X射线经过多层膜反射后射入探测器成像,其特征是:包括有如下步骤:a.确定多层膜的厚度:多层膜对X射线的反射具有衍射特性,即一定角度下只反射特定能量的X射线,与多层膜的周期厚度有关,需满足修正布拉格公式:
其中,λ是被反射的X射线的波长,d是多层膜的周期厚度,n是X射线在膜层材料中的折射率,θ为光束的掠入射角;根据自放光物体的尺寸能够得出光源的发射角α为:
其中,H是被探测物体的高度尺寸,L1为自发光物体到小孔的距离;再根据几何关系,能够得出:θ1=θ2‑α ③
其中,β是中心光束,即α的角平分线上的光束在多层膜反射元件上的掠入射角;确定多层膜靠近小孔一端的周期厚度d2,由于d2与θ2满足公式①的布拉格关系,通过公式①计算能够得到θ2的值,在根据公式③计算得到θ1的值,在根据公式①进一步计算得到多层膜远离小孔一端的周期厚度d1的值,其中d2<d1;同时,多层膜的厚度在其长度方向上成线性变化,厚度梯度的值为(d1‑d2)/l;b.确定多层膜的长度:多层膜的长度与其距光源点的距离有关,在中心光束上下两个三角形中应用正弦定理得:![]()
其中L2是小孔到多层膜反射元件的中心距离,l1为中心光束在多层膜上的射入点下方的多层膜长度,l2为中心光束在多层膜上的射入点上方的多层膜长度,将公式⑤和公式⑥变换后可以得到:![]()
所需多层膜的有效长度为:
c.确定多层膜与探测器之间的距离:中心光束在多层膜上的射入点到探测器的垂直距离L3可通过下式计算得出:
其中M为成像放大比,L1为被自发光物体到小孔的距离,L2是小孔到多层膜反射元件的中心距离。
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