[发明专利]一种石墨烯薄膜的转移方法有效
| 申请号： | 201610155944.5 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105819431B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王炜;谭化兵;刘海滨;杨军 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人： | 张秋云 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，是通过将生长好石墨烯的衬底，与转移目标衬底粘结后，放置在湿氧环境中充分氧化。随着氧化的进行，在石墨烯与衬底之间逐渐形成了氧插层，降低了石墨烯与其生长衬底的结合力，从而减少了石墨烯在转移过程中受其结合力的影响，提高了石墨烯转移的完整性，相应提高了转移后石墨烯的质量。本发明的有益效果为1、本发明是在剥离石墨烯与衬底之前，加入氧插层处理，降低石墨烯与衬底间的结合力，提高了转移后石墨烯的完整性。2、本发明的工艺简单，成本低廉，环境友好，十分有利于石墨烯产业化生产制备和应用。3、本发明中的湿氧坏境可以重复使用，降低了资源消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：1)通过化学气相沉积法，在金属衬底上生长石墨烯薄膜，得到生长好石墨烯薄膜的金属衬底；2)将步骤1)得到的生长好石墨烯薄膜的金属衬底，与转移目标衬底进行粘合，得到粘合好的转移目标衬底/石墨烯/生长衬底复合薄膜；3)将步骤2)得到的复合薄膜，放置在湿氧环境中进行充分氧化，得到转移目标衬底/石墨烯/氧插层/生长衬底复合薄膜；4)将步骤3)得到的复合薄膜，通过指定的剥离方法将生长衬底与石墨烯分离开，得到转移目标衬底/石墨烯薄膜，至此石墨烯转移完成；所述转移目标衬底为防静电保护膜或热释放胶带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司，未经无锡格菲电子薄膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610155944.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氢型层柱皂石及其制备方法和应用
- 下一篇：一种水稻秸秆生物炭的制备方法
