[发明专利]存储单元写入方法及其应用有效
| 申请号： | 201610153509.9 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106935270B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李亚睿;陈冠复 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种存储单元写入方法及其应用，此方法包括下述步骤：获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压，并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至存储单元。验证存储单元被施予此数目的写入射击之后是否达到存储单元的目标临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 写入 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元写入方法，其特征在于，包括:/n获取一存储阵列中至少一存储单元的一第一临界电压；/n识别该存储单元的一目标临界电压；并根据该第一临界电压来决定用来使该存储单元达到该目标临界电压所需要的多个写入射击(programming shot)的一数目；/n将该存储单元所需的这些写入射击的该数目施加至该存储单元；/n验证该存储单元被施予该数目的该些写入射击之后,是否达到该存储单元的该目标临界电压；/n其中获取该存储单元的该第一临界电压的步骤，包括：/n决定该存储单元的一第一临界电压分布(distribution)；以及/n根据一写入速度将该第一临界电压分布区分为N个族群。/n
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