[发明专利]存储装置与其操作方法有效
| 申请号： | 201610146048.2 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106875973B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;何信义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置，包括：一可编程电阻式存储单元阵列；一差动放大器，耦接至可编程电阻式存储单元阵列，其中差动放大器感测一位线上的一第一电压及一参考电压之间的一电压差，并响应于电压差提供一反馈信号，其中位线耦接至一存储单元。控制电路耦接至可编程电阻式存储单元阵列及差动放大器，执行一编程操作，以改变存储单元的一第一电阻值状态为一第二电阻值状态，编程操作包含：针对该参考电压选择相关于该第二电阻值状态的一电压电平；导通电流电路以施加编程电流的一编程脉冲至存储单元；及致能差动放大器；其中电流电路响应于反馈信号截止编程电流。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 与其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：一可编程电阻式存储单元阵列；一差动放大器，耦接至该可编程电阻式存储单元阵列，其中该差动放大器感测一位线上的一第一电压及一参考电压之间的一电压差，并响应于该电压差而提供一反馈信号，其中该位线耦接至该可编程电阻式存储单元阵列中的一存储单元，其中，该存储单元包括一存储元件，及串联至该存储元件的一存取装置，且该存取装置包含一栅极端连接至一字线；一电流电路，耦接至该位线，以提供一编程电流至该存储单元所耦接的该位线；以及一控制电路，耦接至该可编程电阻式存储单元阵列及该差动放大器，执行一编程操作，以改变该存储单元的一第一电阻值状态为一第二电阻值状态，该编程操作包含：针对该参考电压选择相关于该第二电阻值状态的一电压电平；施加具有一脉冲形状的一字线脉冲至该字线；导通该电流电路以施加该编程电流的一编程脉冲至该存储单元；及致能该差动放大器；其中该电流电路在该字线脉冲终止前响应于该反馈信号而截止该编程电流。
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