[发明专利]一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法，属于表面工程技术领域。该方法以聚奈二甲酸乙二醇酯和氧化锡锑为原料制得自制耐高温柔性衬底，再将甲硅烷和氢气利用空心阴极放电进行薄膜沉积最终制得柔性衬底微晶薄膜，弥补了传统柔性衬底只能在低温下进行沉积影响沉积速率的不足，而且耐温性强的自制柔性衬底又避免了传统柔性衬底因热变形导致与薄膜结合不好，从而降低电池转化效率的问题，使得本发明制得的柔性衬底微晶硅薄膜具有质量轻、不易破碎、可折叠、可卷曲等优点，易于大面积生产，便于运输，具有很高的光电转化效率。

主权项

一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：(1)称取400～500g聚奈二甲酸乙二醇酯和4～8g氧化锡锑粉末一起倒入高温反应釜中，加热升温至300～400℃直至聚奈二甲酸乙二醇酯融化，待其融化后用搅拌棒搅拌使聚奈二甲酸乙二醇酯和氧化锡锑粉末混合均匀；(2)再将混匀后的物料用涂布机均匀的涂布在1m×1m的玻璃板表面，涂布厚度为0.5～1mm，涂布完成后将玻璃板移入烘箱，在40～50℃下干燥过夜，干燥完成后揭膜得到自制耐高温柔性衬底，备用；(3)将上述制得的耐高温柔性衬底裁剪成3cm×3cm的小块，分别用丙醇、无水乙醇和去离子水超声清洗3～5次，其中超声功率为100～200W，每次清洗时间为5～10min，去除衬底表面杂质以提高衬底吸附率；(4)将清洗完的衬底用氮气吹干后放入薄膜沉积装置沉积腔室内的基片台上，用真空泵抽真空至8～10Pa，达到预定压力后再打开分子泵抽本底真空至2×10‑3Pa，同时对基片台加热至250～350℃；(5)当基片台达到预定温度后，向沉积腔室内以20mL/min的速率通入甲硅烷和氢气的混合气，其中甲硅烷和氢气的体积比为1:9，持续通气直至腔室内压力达到150～200Pa，打开沉积装置的射频电源，开始沉积薄膜处理，其中射频频率为30～50MHz；(6)待薄膜沉积结束，腔室内温度冷却至室温后，用氮气对混合气通气管路进行清洗3～5次，去除残余的混合气体，最后取出柔性衬底微晶硅薄膜即可。