[发明专利]灵敏放大电路及存储器有效
| 申请号： | 201610139564.2 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105741871B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张勇;肖军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种灵敏放大电路及存储器，灵敏放大电路包括：参考电流产生电路，用于生成参考电流，所述参考电流产生电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极耦接电源，其漏极输出所述参考电流；第一预充电电路，适于利用所述参考电流对参考单元位线进行预充电；比较电路，其输入端耦接所述第一PMOS管的栅极以获取所述参考电流，所述比较电路适于将存储单元位线的电流与获取到的所述参考电流进行比较，并输出对应的逻辑结果；偏置电路，适于抬升所述第一PMOS管的漏极电压，以使所述第一PMOS管工作在饱和区。本发明技术方案提高了存储器读操作时的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏 放大 电路 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种灵敏放大电路，其特征在于，包括：参考电流产生电路，用于生成参考电流，所述参考电流产生电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极耦接电源，其漏极输出所述参考电流；第一预充电电路，适于利用所述参考电流对参考单元位线进行预充电；比较电路，其输入端耦接所述第一PMOS管的栅极以获取所述参考电流，所述比较电路适于将存储单元位线的电流与获取到的所述参考电流进行比较，并输出对应的逻辑结果；偏置电路，适于抬升所述第一PMOS管的漏极电压，以使所述第一PMOS管工作在饱和区；所述偏置电路包括MOS管和电阻；其中，所述MOS管的漏极耦接电源，其栅极耦接所述第一PMOS管的漏极；所述电阻的一端耦接所述MOS管的源极以及所述比较电路的输入端，另一端接地。
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