[发明专利]电压电平移位器有效
| 申请号： | 201610139358.1 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105811962B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈柏宏;许国原;严光武;林松杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点。第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端。第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点。第三反相器的输入端连接至第一反相器的输入端。第一NMOS晶体管的栅极连接至第三反相器的输出端。第一NMOS晶体管的漏极连接至第二反相器。第一NMOS晶体管的源极被配置为用作输入端电平节点。当输入端节点被配置为接收低逻辑电平时，输出端节点被配置为接收由输入端电平节点处的电压电平提供的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 电平 移位 | ||
【主权项】：
1.一种电压电平移位器，包括：第一反相器，所述第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点；第二反相器，所述第一反相器的输出端连接至所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点；第三反相器，所述第三反相器的输入端直接连接至所述第一反相器的输入端；以及第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极连接至所述第三反相器的输出端，所述第一NMOS晶体管的漏极连接至所述第二反相器，所述第一NMOS晶体管的源极被配置为用作输入端电平节点，其中，当所述输入端节点被配置为接收低逻辑电平时，所述输出端节点被配置为接收由所述输入端电平节点处的电压电平提供的电压值；第一反相器电源，用于提供第一反相器电源电压，并且，所述第一反相器电源是由所述第一反相器使用的，所述第一反相器电源不同于第二反相器电源；其中，所述第二反相器包括：PMOS晶体管，具有PMOS源极、PMOS漏极、和PMOS栅极；以及第二NMOS晶体管，具有第二NMOS漏极、第二NMOS源极、和第二NMOS栅极；所述PMOS栅极连接至所述第二NMOS栅极，并被配置为用作所述第二反相器的输入端；所述PMOS源极连接至所述电压电平移位器中的所述第二反相器电源；所述PMOS漏极连接至所述第二NMOS漏极，并被配置为用作所述输出端节点；以及所述第二NMOS源极，直接连接至所述第一NMOS晶体管的漏极；第一接地参考源，用于提供第一接地参考电压；以及第二接地参考源，用于生成第二接地参考电压，其中，所述第一接地参考源是由所述第一反相器使用的，所述第二反相器电源是由所述第二反相器使用的，所述第一接地参考源不同于所述第二接地参考源，所述第二接地参考源连接至所述第一NMOS晶体管的源极。
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