[发明专利]R‑T‑B类烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201610135857.3 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106024364B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 山方亮一;小林浩也;国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，其不使剩余磁通密度降低地使重稀土元素RH从R‑T‑B类烧结磁体原料的表面向内部扩散，能够抑制R‑T‑B类烧结磁体的破裂、缺损的发生。本发明的实施方式包括准备R‑T‑B类烧结磁体原料的工序；准备RH扩散源的工序；在处理室内装入烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件的工序；和边使烧结磁体原料、RH扩散源和搅拌辅助部件移动，边将烧结磁体原料和RH扩散源加热的RH扩散工序。各烧结磁体原料为1000mm3以上，正交的三个方向的尺寸中最大尺寸为最小尺寸的2倍以上。各RH扩散源为3mm以下。搅拌辅助部件包括多个第一球体和多个第二球体。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法，包括：准备多个R‑T‑B类烧结磁体原料的工序；准备含有重稀土元素RH和40质量％以上80质量％以下的Fe的多个RH扩散源的工序，其中，所述重稀土元素RH包括Dy和Tb的至少一种；在被支撑为能够旋转的处理室内装入所述多个烧结磁体原料、所述多个RH扩散源和多个搅拌辅助部件的工序；和在旋转的所述处理室内边使所述多个烧结磁体原料、所述多个RH扩散源和所述多个搅拌辅助部件移动，边将所述多个烧结磁体原料和所述多个RH扩散源加热到800℃以上1000℃以下的处理温度的RH扩散工序，所述多个烧结磁体原料具有1000mm3以上的体积，正交的三个方向的三个尺寸中最大尺寸为最小尺寸的2倍以上，所述多个RH扩散源分别具有3mm以下的大小，所述多个搅拌辅助部件包括分别具有4mm以上10mm以下的球当量直径的多个第一球体和分别具有1.5mm以上3.5mm以下的球当量直径的多个第二球体。
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