[发明专利]一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型有效
| 申请号： | 201610135225.7 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105740580B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱恒;童华清;徐秀琴;许慧;屠志晨;王志宇;尚永衡;郁发新 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面，其长度和宽度与栅极一致，厚度为0.1微米，其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT工艺的MMIC管芯热分布，为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 phemt 工艺 mmic 等效 管芯 模型 | ||
【主权项】：
1.一种利用基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型的仿真方法，其特征在于，该等效管芯模型包括栅极（1）、源极（2）、漏极（3）、热源（4）、连接条a（5）、连接条b（6），热源（4）与栅极（1）的栅长一致，宽度比栅极（1）的宽度长3μm，放置在栅极（1）的下表面，厚度为0.1μm，连接条a（5）连接栅极（1）、源极（2）、漏极（3）的左侧，且压着热源（4）的上表面，连接条b（6）连接栅极（1）、源极（2）、漏极（3）的右侧，且压着热源（4）的上表面；所述的热源（4）的功耗是根据芯片中每级管芯栅宽的比例分配得到，且每一级中管芯的功耗大小相同；每一级管芯的尺寸都是相同的，各级管芯之间也只有栅极（1）的栅宽不一样；所述的栅极（1）、源极（2）、漏极（3）、连接条a（5）、连接条b（6）的材料都为金。
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