[发明专利]基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法有效
| 申请号： | 201610124746.2 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105759468B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张春福;韩根全;彭芮之;郝跃;张进城;冯倩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法，主要解决现有光电调制器中红外光易泄露，晶格失配和制作方法复杂的问题。光电调制器包括：衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5)。制作方法包括：注氧隔离、刻蚀硅波导、刻蚀SOUP结构、刻蚀量子阱、低压化学气相沉积和淀积电极。本发明通过氧化下包络基座上的硅SOUP结构以及晶格适配的量子阱和势垒层使光的损耗减小，吸收谱波长范围变大，同时，本发明通过低压化学气相沉积方法沉积薄膜使制备工艺简单，可用于制备中红外光电调制器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 斯塔克效应 soup 结构 光电 调制器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器，包括：衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5)；其特征在于：所述吸收区(3)由GeSn量子阱和SiGeSn势垒层横向交叠排列组成；所述量子阱采用Sn组分为0.9的GeSn单晶材料；所述势垒层采用Sn组分为0.15、Ge组分为0.75的单晶材料。
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