[发明专利]磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备在审
| 申请号： | 201610124589.5 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN107154330A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;罗建恒;耿波;张同文 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J25/50 | 分类号： | H01J25/50;H01J23/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材溅射电压，从而可以减少器件表面形成的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 以及 应用 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
一种磁控管，用于对靶材表面进行扫描，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其特征在于，所述外磁极和内磁极的形状满足：使所述内磁极的总磁通量与所述外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。
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