[发明专利]一种等离子体处理装置及方法有效
| 申请号： | 201610119938.4 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154332B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘骁兵;左涛涛;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体处理装置及在等离子体处理装置内处理基片的方法。所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极及一下电极，本发明在所述下电极外围环绕设置一中空绝缘环，并在所述中空绝缘环内设置一射频线圈，通过在清洁工艺中向射频线圈施加射频功率可以提高边缘区域清洁气体的解离程度，进而提高边缘区域清洁等离子体的浓度；高浓度的清洁等离子体有利于保证边缘区域部件的清洁效果。在刻蚀工艺中，通过设置射频线圈接地可以有效的避免施加到下电极上的射频功率在射频线圈上产生放电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括一反应腔，所述反应腔内设置一上电极及一下电极，所述下电极上方设置一用以支撑固定基片的静电夹盘，其特征在于：所述静电夹盘外围环绕设置一中空绝缘环，所述中空绝缘环内设置一射频线圈，所述射频线圈在清洁工艺中与一射频电源相连通，在刻蚀工艺中接地；所述中空绝缘环的底部与反应腔内区域保持联通；所述射频线圈包括一开口或所述射频线圈上设置一段绝缘材料，所述射频线圈与一升降驱动装置相连，所述升降驱动装置控制所述射频线圈在所述中空绝缘环内上下移动，所述射频线圈上设置接地结构，所述射频线圈位置降下时所述接地结构接地。
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