[发明专利]一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201610119183.8 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105762273B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 韩叶梅;王芳;张楷亮;弭伟;曹荣荣;张志超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/22;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上构成层状结构组成，双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构的0.3Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.7(Ba0.3Ca0.7)TiO3(30BZT‑70BCT)和0.7Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.3(Ba0.3Ca0.7)TiO3(70BZT‑30BCT)，铁磁层为具有(110)取向的Fe0.7Ga0.3合金薄膜。本发明的优点是：该存储单元具有非易失性，具有低功耗、读写速度快、绿色环保、工艺简单、环境兼容性好的优点，在室温下具有良好的铁电、压电和铁磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双层 薄膜 磁电 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，其特征在于：由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上构成层状结构组成，所述复合衬底自下而上分别为Si，SiO2，Ti和Pt底电极，所述双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构、厚度为100‑200nm的0.3Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.7(Ba0.3Ca0.7)TiO3(30BZT‑70BCT)和厚度为100‑200nm的0.7Ba(Zr0.2Ti0.8)O3‑0.3(Ba0.3Ca0.7)TiO3(70BZT‑30BCT)，铁磁层为具有(110)取向的Fe0.7Ga0.3合金薄膜。
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