[发明专利]一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法有效

专利信息
申请号: 201610117643.3 申请日: 2016-03-02
公开(公告)号: CN105734643B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 万晔;丁晓雯;宋智远;王欢;张亚 申请(专利权)人: 沈阳建筑大学
主分类号: C25D11/34 分类号: C25D11/34;B82Y40/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234 代理人: 吕敏
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,属于材料制备技术领域。本发明采用三电极体系,在氢氧化钠或氢氧化钾溶液中,银基体为工作电极,设定特定的极化电位区间对银基板进行电化学极化,在银基板表面直接原位生长出纳米氧化银薄膜,薄膜微观结构为颗粒状,晶粒粒径小于200nm。本发明方法步骤简单,成本低廉,不受银基板形状的限制。本发明在常温下就可得到纳米氧化银薄膜,该薄膜与基底之间的附着力强,不易脱落,可直接用于电子元器件、扣式电池、净化剂、化工催化剂等器件。
搜索关键词: 一种 纳米 氧化银 薄膜 原位 电化学 制备 方法
【主权项】:
一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法,其特征是,包括步骤如下:(1)将银基片用蒸馏水和无水乙醇分别清洗,并用氮气将其表面吹干;(2)将氢氧化钠试剂加入到蒸馏水中,搅拌使固体溶解,形成氢氧化钠溶液,使溶液的摩尔浓度范围在0.1mol/L到2mol/L之间;(3)将电解池三孔分别连接银基片、饱和甘汞电极参比电极和铂网对电极,且参比电极位于银基片和对电极之间,银基片为工作电极,将三个电极分别与电化学工作站相对应的三个电极连接;(4)设置电化学极化过程中的扫描速度、起始电位、中间电位和终点电位,起始电位范围为‑0.5V~ ‑0.12V,正向扫描到中间电位,范围为0.3V~0.5V,然后,反向扫描到达终点电位,范围为‑0.5V~ ‑0.12V,完成一个循环伏安极化过程;将步骤(2)配制的溶液置入电解池中,对银基片进行电化学极化,得到纳米氧化银薄膜,所述纳米氧化银薄膜微观结构为颗粒状;所述的电化学极化过程至少完成一个循环伏安极化后,继续从起始电位正向扫描,到达中间电位后,停止极化。
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