[发明专利]一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法

权利要求书

1.一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是，包括步骤如下：

（1）将银基片用蒸馏水和无水乙醇分别清洗，并用氮气将其表面吹干；

（2）将氢氧化钠试剂加入到蒸馏水中，搅拌使固体溶解，形成氢氧化钠溶液，使溶液的摩尔浓度范围在0.1mol/L到2mol/L之间；

（3）将电解池三孔分别连接银基片、饱和甘汞电极参比电极和铂网对电极，且参比电极位于银基片和对电极之间，银基片为工作电极，将三个电极分别与电化学工作站相对应的三个电极连接；

（4）设置电化学极化过程中的扫描速度、起始电位、中间电位和终点电位，起始电位范围为-0.5V～ -0.12V，正向扫描到中间电位，范围为0.3V～0.5V，然后，反向扫描到达终点电位，范围为-0.5V～ -0.12V，完成一个循环伏安极化过程；将步骤（2）配制的溶液置入电解池中，对银基片进行电化学极化，得到纳米氧化银薄膜，所述纳米氧化银薄膜微观结构为颗粒状；所述的电化学极化过程至少完成一个循环伏安极化后，继续从起始电位正向扫描，到达中间电位后，停止极化。

2.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是：所述步骤（4）在电解液温度为25°C的条件下进行电化学极化。

3.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是，所述步骤（4）的电化学极化过程中扫描速度范围为0.05mV/s ～ 5mV/s。

4.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是：所述步骤（4）制备得到纳米氧化银薄膜后，立即取出，用蒸馏水冲洗后，用氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是：所述步骤（2）的氢氧化钠溶液采用氢氧化钾溶液代替。

6.根据权利要求1所述的一种纳米氧化银薄膜的原位电化学制备方法，其特征是：所述的纳米氧化银薄膜晶体是在银基片上原位生长出来的。