[发明专利]太阳能电池装置

摘要

一种太阳能电池装置，具有多结太阳能电池和保护二极管结构，其中所述多结太阳能电池和所述保护二极管结构具有一个共同的背侧面以及通过台面型沟槽分离的前侧，所述共同的背侧面包括导电层并且光通过所述前侧进入到所述多结太阳能电池中，其中所述多结太阳能电池包括由多个太阳能电池组成的叠堆并且具有最接近所述前侧地布置的上太阳能电池和最接近所述背侧地布置的下太阳能电池，每一个太阳能电池包括一个np结并且在相邻的太阳能电池之间布置有隧道二极管，并且在所述保护二极管结构中的半导体层的数量小于在所述多结太阳能电池中的半导体层的数量，然而在所述保护二极管结构中的半导体层的顺序相应于所述多结太阳能电池的半导体层的顺序。

主权项

一种太阳能电池装置(SV)，其具有多结太阳能电池(MS)和保护二极管结构(SD)，其中，所述多结太阳能电池(MS)和所述保护二极管结构(SD)具有一个共同的背侧面(RF)和通过台面型沟槽(MG)分离的前侧，并且所述共同的背侧面(RF)包括导电层，并且光通过所述前侧进入到所述多结太阳能电池(MS)中，其中，所述多结太阳能电池(MS)包括由多个太阳能电池(SC1，SC2，SC3)组成的叠堆并且具有最接近所述前侧地布置的上太阳能电池(SC1)和最接近所述背侧地布置的下太阳能电池(SC3)，并且每一个太阳能电池(SC1，SC2，SC3)包括一个np结并且在相邻的太阳能电池之间布置有隧道二极管(TD)，并且所述保护二极管结构(SD)中的半导体层的数量小于所述多结太阳能电池(MS)中的半导体层的数量，然而所述保护二极管结构(SD)中的剩余的半导体层的顺序与所述多结太阳能电池(MS)的半导体层的顺序相同，其中，在所述保护二极管结构(SD)中构造有至少一个上保护二极管(Dl)和至少一个最接近所述背侧地布置的下保护二极管(D2)，并且在相邻的保护二极管(Dl，D2)之间布置有隧道二极管(TD)，并且所述保护二极管结构(SD)中的np结的数量比所述多结太阳能电池(MS)的np结的数量至少小1，其特征在于，在所述多结太阳能电池(MS)和所述保护二极管结构(SD)的前侧上构造有连接接触结构(M)和在所述连接接触结构(M)之下的由多个半导体层组成的导电接触层(C，C1)，所述连接接触结构包含一个或多个金属层，并且所述多个半导体层包括隧道二极管(TD)，其中，在所述多结太阳能电池(MS)的前侧上，在所述上太阳能电池(SC1)和所述连接接触结构(M)之间布置隧道二极管(TD)。