[发明专利]电力存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610115206.8 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105591074B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有改进循环特性的电力存储装置和制造所述电力存储装置的方法，所述电力存储装置具有与包含硅层的活性材料层表面接触的导电层，在去除活性材料层表面形成的氧化物膜，例如天然氧化物膜之后提供所述导电层。这样提供的所述导电层与包含硅层的活性材料层的表面接触，电力存储装置电极表面的导电性得以改进；因此，可以改进所述电力存储装置的循环特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极，其包括：集电器；位于所述集电器上的硅化物；位于所述硅化物上的金属氧化物；位于所述金属氧化物上的含有硅的活性材料层；和位于所述活性材料层上的含有钛的导电层，其中所述硅化物包含硅和所述集电器所含有的金属元素，其中所述金属元素为选自锆、钛、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨和镍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610115206.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
