[发明专利]紫外GaN基LED外延结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/GaN超晶格层；低温InGaN/AlGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层。本发明采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合。

主权项

1.一种紫外GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：衬底；位于所述衬底上的低温缓冲层，所述低温缓冲层为在500~550℃、200~500Torr条件下生长而得；位于所述低温缓冲层上的高温u‑GaN层，所述高温u‑GaN层为在1040~1100℃、100~300Torr条件下生长而得；位于所述高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层，所述高温n‑GaN层在1040~1070℃、100~200Torr条件下生长而得；位于所述高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，所述低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层，所述低温AlGaN/GaN超晶格层为在700~800℃、200~300Torr条件下生长而得；位于所述低温AlGaN/GaN超晶格层上的低温InGaN/AlGaN紫外发光层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层包括层叠设置的低温InGaN量子阱层和低温AlGaN量子垒层，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层的发光波长为365~390nm，所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层为在750~900℃、200~300Torr条件下生长而得；位于所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层，所述高温p‑AlGaN电子阻挡层为在800~1000℃、100~400Torr条件下生长而得；位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑GaN层，所述高温p‑GaN层为在800~1000℃、100~400Torr条件下生长而得。