[发明专利]一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用在审
| 申请号： | 201610111722.3 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105629682A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 贾越辉;龚欣;彭沛;王紫东;田仲政;任黎明;张酣;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用，该方法利用较高能量激光束照射或扫描薄膜的方法，在激光束下照射时，激光束与碳基材料薄膜样品表面的光刻胶之间会发生相互作用，使光刻胶分子中C-H、C-C键断裂，形成小分子并具有较高能量，使光刻胶分子发生溅射和横向移动，脱离原来位置。同时，激光轰击导致样品表面产生热量，使光刻胶分子发生团聚和蒸发。本发明能够去除碳基材料薄膜样品表面光刻胶等聚合物残留，并确保不破坏材料晶格结构，获得薄膜样品本征特性，使器件电学性能大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 薄膜 表面 光刻 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法，其特征在于，包括：1)选取带有残留光刻胶的碳基薄膜样品；2)将碳基薄膜样品放置于拉曼光谱系统的光学显微镜的激光出射口下方，调整碳基薄膜样品位置到显微镜视野内，调节显微镜焦距，并聚焦到碳基薄膜样品表面；3)用低能量的聚焦激光束对准碳基薄膜样品需要去胶位置，此时激光强度应在3mW以下；4)选择高能量的激光束，激光束的强度范围为10～40mW，用该高能量的激光束照射薄膜样品表面，从而去除光刻胶残留。
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