[发明专利]基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料有效
申请号: | 201610108827.3 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN105688939B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 魏志鹏;方铉;李金华;楚学影;苗元华;方芳;李如雪;陈雪;王晓华 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | B01J27/045 | 分类号: | B01J27/045;B01J27/04 |
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地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于能带调制的双重量子点敏化石墨烯/氧化物复合结构光催化材料的制备方法,属于半导体材料光催化领域。本发明在能带调制原理下,利用石墨烯与氧化物形成复合结构,通过能级位置的差别实现复合结构中光生载流子的有效分离,采用窄带隙半导体量子点对氧化锌进行敏化,采用金属量子点对石墨烯进行敏化,在进一步增加光生载流子的分离和传递的同时,还可以拓宽光谱响应范围。本发明的优势是在宽的光谱响应范围下,利用双重量子点敏化既可以实现载流子的分离,又能够促进光生电子和空穴的快速传递,减少复合几率。 | ||
搜索关键词: | 基于 能带 调制 双重 量子 点敏化 氧化物 复合 光催化 材料 | ||
【主权项】:
1.一种基于能带调制的双重量子点敏化石墨烯/氧化物复合结构光催化材料的制备方法,其特征在于,首先利用溅射或沉积的方法在衬底材料上生长金属量子点材料Pt、Au或Ag;其次利用化学气相沉积制备石墨烯并迁移至已沉积金属量子点的衬底材料表面;在此基础上采用原子层沉积进一步生长氧化物薄膜;最后采用化学浴方法在金属量子点敏化的石墨烯/氧化物复合结构上生长窄带隙半导体量子点材料CdSe或CdS,得到双重量子点敏化的石墨烯/氧化物复合光催化材料;所述的氧化物薄膜为ZnO或TiO2。
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