[发明专利]相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法

摘要

一种相变化记忆体以及制造相变化记忆体的方法。相变化记忆体包含具有多个第一导电线及多个第一绝缘层的层叠结构、接触结构、第二绝缘层以及相变化结构。第一导电线夹置在两相邻第一绝缘层之间，各第一导电线包含凹口部。接触结构在实质上垂直于各第一导电线的方向上延伸，且接触结构对应于各第一导电线的凹口部。第二绝缘层覆盖各第一导电线的凹口部的一部分，且凹口部的另一部分未被第二绝缘层覆盖。相变化结构围绕接触结构，且包含第一部分以及第二部分，第一部分夹置在接触结构与第二绝缘层之间，第二部分实体接触未被第二绝缘层覆盖的各凹口部的所述另一部分。

主权项

1.一种相变化记忆体，其特征在于，包含：一层叠结构，包含多个第一导电线以及多个第一绝缘层，各该第一导电线夹置在相邻的两个所述第一绝缘层之间，各该第一导电线包含一凹口部及一加热元件；一接触结构，在垂直于各该第一导电线的方向上延伸，且该接触结构对应于各该第一导电线的该凹口部；一第二绝缘层，覆盖各该第一导电线的该凹口部的一部分，且各该凹口部的另一部分未被该第二绝缘层覆盖；以及一相变化结构，围绕该接触结构，其中该相变化结构包含一第一部分以及一第二部分，该第一部分夹置在该接触结构与该第二绝缘层之间，该第二部分实体接触未被该第二绝缘层覆盖的各该凹口部的该另一部分，其中该加热元件的一部分接触该第二绝缘层，且该加热元件的另一部分接触该相变化结构的该第二部分。