[发明专利]微熔硅应变计(MSG)压力传感器封装在审

专利信息
申请号: 201610103933.2 申请日: 2016-02-25
公开(公告)号: CN105928641A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: E·J·A·肖特乌特坎普;D·H·威尔斯马;F·H·雅各布斯 申请(专利权)人: 森萨塔科技公司
主分类号: G01L1/20 分类号: G01L1/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及微熔硅应变计(MSG)压力传感器封装。本发明公开了用于微熔硅应变计压力传感器的方法和装置。压力传感器封装包含:被配置为暴露于压力环境下的感测元件,该感测元件包含至少一个应变计;布置于载体上且与感测元件电耦接的电子封装,该载体被布置于包含感测元件的端口上,该端口可允许针对密封及寄生的密封力的解耦特征以及端口长度的缩短;布置于感测元件和电子封装周围的外壳;以及与外壳接合且与电子封装电连接的连接器,该连接器包含外部接口。
搜索关键词: 微熔硅 应变 msg 压力传感器 封装
【主权项】:
一种压力传感器封装,包含:被配置为暴露于压力环境下的感测元件,所述感测元件包含至少一个应变计;布置于载体上且与所述感测元件电耦接的电子封装,所述载体被布置于包含所述感测元件的端口上,所述端口允许针对密封及寄生的力的解耦特征以及端口长度的缩短;布置于所述感测元件和电子封装周围的外壳;以及与所述外壳接合且与所述电子封装电连接的连接器,所述连接器包含外部接口。
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