[发明专利]一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法有效

专利信息
申请号: 201610103436.2 申请日: 2016-02-25
公开(公告)号: CN105624624B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 刁东风;范雪;陈成 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法,包括从左至右依次设置的微波发生器、等离子体室、成膜室及预真空室;所述微波发生器依次通过微波导管及石英窗与等离子体室相连;所述等离子体室的外侧设置有第一磁线圈和第二磁线圈;所述成膜室的外侧设置有第三磁线圈;所述成膜室的近等离子体室端的等离子体室右侧电子回旋共振磁场处设置有圆筒形固定靶材,所述成膜室的近预真空室端设置有基板;所述圆筒形固定靶材通过靶材电源接地。本发明通过确定成膜室中圆筒形固定靶材和基板的位置关系,在封闭和发散两种磁场模式下都能够获得稳定的等离子体,以及最好的电子和离子照射效果。
搜索关键词: 一种 ecr 等离子体 溅射 装置 及其 方法
【主权项】:
一种ECR等离子体溅射装置,其特征在于,包括从左至右依次设置的微波发生器、等离子体室、成膜室及预真空室;所述微波发生器依次通过微波导管及石英窗与等离子体室相连;所述等离子体室的外侧设置有第一磁线圈和第二磁线圈;所述成膜室的外侧设置有第三磁线圈;所述成膜室的近等离子体室端的等离子体室右侧电子回旋共振磁场处设置有圆筒形固定靶材,所述成膜室的近预真空室端设置有基板;所述圆筒形固定靶材通过靶材电源接地;所述基板距所述圆筒形固定靶材15‑17.5cm;所述成膜室的近等离子体室端的等离子体室右侧电子回旋共振磁场处的磁场强度为875G;通过在第一磁线圈、第二磁线圈、第三磁线圈中施加电流,在等离子体室内形成封闭式磁场;所述基板在封闭磁场下施加正偏压,实现对电子的照射加工;通过在第一磁线圈、第二磁线圈中施加电流,在等离子体室内形成发散式磁场;所述基板在发散式磁场下施加负偏压,实现对离子的照射加工。
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