[发明专利]一种等离子体进入多极磁阱线圈的控制方法及其控制系统在审
| 申请号： | 201610099587.5 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105682333A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金显吉;佟为明;李中伟;陶宝泉;林景波;李凤阁;刘勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体进入多极磁阱线圈的控制方法，包括：S1：确定溜槽线圈与多极磁阱线圈的相对位置；S2：确定溜槽线圈轴线与多极磁阱线圈轴线的夹角θ；S3：计算所述多极磁阱线圈的外部磁壳的通用磁感应强度，并根据注入点位置数据计算出等离子体注入点的磁感应强度B2；S4：根据等离子体注入点磁感应强度，结合所述溜槽线圈的结构参数，计算所述溜槽线圈在注入点处轴线上产生的磁感应强度为B2时所需的电流值；S5：计算溜槽线圈的启动时刻Tc；S6：计算溜槽线圈的工作时间Tw。本发明还提供一种根据上述方法形成的等离子体进入多极磁阱线圈的控制系统。通过本发明能提高进入多极磁阱线圈中等离子体的数量，并减少上述等离子体的能量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 进入 多极 线圈 控制 方法 及其 控制系统 | ||
【主权项】：
一种等离子体进入多极磁阱线圈的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：确定溜槽线圈与多极磁阱线圈的相对位置,包括溜槽线圈与多极磁阱线圈的横向距离d，以及溜槽线圈的轴线与多极磁阱线圈轴线的纵向距离h；S2：确定溜槽线圈轴线与多极磁阱线圈轴线的夹角θ；S3：根据所述多极磁阱线圈的半径、匝数、相对位置和多极磁阱线圈中的电流值计算所述多极磁阱线圈的外部磁壳的通用磁感应强度，并根据注入点位置数据计算出等离子体注入点的磁感应强度B2；S4：根据等离子体注入点磁感应强度，结合所述溜槽线圈的结构参数，计算所述溜槽线圈在注入点处轴线上产生的磁感应强度为B2时所需的电流值；S5：计算溜槽线圈的启动时刻Tc；S6：计算溜槽线圈的工作时间Tw。
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