[发明专利]一种激光芯片P-I曲线扭折测试方法及装置

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光芯片P‑I曲线扭折测试方法及装置，包括：获取激光芯片的多个输出光功率，并根据Savitzky‑Golay算法确定至少一个目标输出光功率，针对每个目标输出光功率，根据L个输出光功率及一阶微分卷积系数，确定目标输出光功率对应的斜率，然后判断激光芯片P‑I曲线是否存在扭折。该方法通过一阶微分卷积系数对L个输出光功率进行加权运算得到目标输出光功率对应的斜率，因而降低了部分输出光功率的数据错误对斜率计算结果的正确性的影响，即实现了对输出光功率的滤波，且该滤波处理与斜率计算同时完成，因此提高了判断激光芯片P‑I曲线是否存在扭折的效率和准确性。

主权项

1.一种激光芯片P‑I曲线扭折测试方法，其特征在于，包括：获取激光芯片的多个输出光功率；根据预设的Savitzky‑Golay算法中的样本数L，从所述多个输出光功率中确定至少一个目标输出光功率；针对所述至少一个目标输出光功率中的每个目标输出光功率，确定所述多个输出光功率中与所述目标输出光功率对应的L个输出光功率；根据所述L个输出光功率及预先选定的所述Savitzky‑Golay算法中的一阶微分卷积系数，确定所述目标输出光功率对应的斜率；其中，所述一阶微分卷积系数包含L个分子系数；根据所述每个目标输出光功率对应的斜率，判断所述激光芯片P‑I曲线是否存在扭折。