[发明专利]MOS传输晶体管和包括其的电平移位器有效
| 申请号： | 201610091963.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106409904B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MOS传输晶体管，包括：半导体层，具有第一导电性；沟槽隔离层，设置在半导体层中以限定第一有源区和第二有源区；第一结区，具有第二导电性，设置在第一有源区中，以及与沟槽隔离层的第一侧壁接触；第二结区，具有第二导电性，设置在第二有源区中，与沟槽隔离层的第二侧壁接触，以及与第一结区间隔开；以及栅电极，设置在沟槽隔离层之上。栅电极的下部从沟槽隔离层的顶表面延伸入沟槽隔离层至预定深度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 传输 晶体管 包括 电平 移位 | ||
【主权项】：
一种MOS传输晶体管，包括：半导体层，具有第一导电性；沟槽隔离层，设置在半导体层中以限定第一有源区和第二有源区；第一结区，具有第二导电性，设置在第一有源区中，并且与沟槽隔离层的第一侧壁接触；第二结区，具有第二导电性，设置在第二有源区中，与沟槽隔离层的第二侧壁接触，并且与第一结区间隔开；以及栅电极，设置在沟槽隔离层之上，其中，栅电极的下部从沟槽隔离层的顶表面延伸入沟槽隔离层至预定深度。
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