[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610079475.3 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105895699B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | P·C·布兰特;H-J·舒尔策;A·R·施特格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域。该方法还包括：形成氧化物层。该方法还包括：在形成氧化物层之后，将原子类型群组中至少一种原子类型的原子并入到场效应晶体管结构的源极区域的至少一部分中。该原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成场效应晶体管结构的源极区域；形成氧化物层；以及在形成所述氧化物层之后，将原子类型群组中的至少一种原子类型的原子并入到所述场效应晶体管结构的所述源极区域的至少一部分中，其中，所述原子类型群组包括硫族元素原子、硅原子和氩原子，其中，在并入所述至少一种原子类型的所述原子之前，去除所述源极区域的一部分。
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