[发明专利]莫特晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种莫特晶体管及其制备方法，其中方法包括如下步骤：采用镀膜工艺在衬底表面制备栅极，并在栅极表面依次制备栅介质层和沟道层；并在未被沟道层覆盖的栅介质层表面制备源极和漏极，完成底栅结构的莫特晶体管的制备；或采用镀膜工艺在衬底表面依次制备沟道层和栅介质层，并在未被栅介质层覆盖的沟道层表面制备源极和漏极，在栅介质层表面制备栅极，完成顶栅结构的莫特晶体管的制备；其中，沟道层为莫特绝缘体薄膜；栅介质层为固态氧化物质子导体膜。其实现了莫特晶体管的全固态结构。由此，当制备的莫特晶体管中进行莫特转变时，不会出现漏液和热稳定性差的问题。最终有效解决了传统的莫特晶体管稳定性较差的问题。

主权项

一种莫特晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用镀膜工艺在衬底表面制备栅极，并在所述栅极表面依次制备栅介质层和沟道层；并在未被所述沟道层覆盖的所述栅介质层表面制备源极和漏极，完成底栅结构的莫特晶体管的制备；或采用所述镀膜工艺在所述衬底表面依次制备所述沟道层和所述栅介质层，并在未被所述栅介质层覆盖的所述沟道层表面制备所述源极和所述漏极，在所述栅介质层表面制备所述栅极，完成顶栅结构的莫特晶体管的制备；其中，所述沟道层为莫特绝缘体薄膜；所述栅介质层为固态氧化物质子导体膜。