[发明专利]等离子体离子源以及带电粒子束装置有效
| 申请号： | 201610078273.7 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105898976B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 大庭弘;杉山安彦;冈部卫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 秦琳;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的绝缘性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源（14a）具备气体导入室（33）、绝缘构件（38）、等离子体生成室（34）、线圈（39）以及末端电极（36）。气体导入室（33）导入原料气体。绝缘构件（38）被设置在气体导入室（33）的内部。等离子体生成室（34）连接于气体导入室（33）。线圈（39）沿着等离子体生成室（34）的外周卷绕，被施加高频功率。设置有多个贯通孔（36a）的末端电极（36）被配置在气体导入室（33）和等离子体生成室（34）的边界。贯通孔（36a）的大小被形成得比等离子体壳层长度小。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 离子源 以及 带电 粒子束 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体离子源，其特征在于，具备：气体导入室，导入原料气体；绝缘构件，设置在所述气体导入室的内部；等离子体生成室，与所述气体导入室连接；线圈，沿着所述等离子体生成室的外周卷绕，被施加高频功率；以及电极，配置在所述气体导入室和所述等离子体生成室的边界，设置有多个贯通孔，所述贯通孔的大小被形成得比等离子体壳层长度小。
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