[发明专利]一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制备方法与应用

摘要

本发明涉及一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制法和用途；所述的LiGaGe2S6化合物采用固相反应制备而成；所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群为F d d 2(43)，晶胞参数为采用高温熔体自发结晶法生长；所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体用于制备非线性光学器件。与现有技术相比，本发明LiGaGe2S6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点，具有很好的应用前景。

主权项

一种LiGaGe2S6非线性光学晶体，其特征在于，该晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群为F d d 2(43)，晶胞参数为所述的晶体以LiGaGe2S6化合物为原料制得，所述的LiGaGe2S6化合物的制备方法是将含Li物质、含Ga物质、含Ge物质及单质S按摩尔比Li:Ga:Ge:S＝1:1:2:6的比例配料，混合均匀后，进行固相反应，即制得所述的LiGaGe2S6化合物；所述的含Li物质为锂单质或硫化锂，所述的含Ge物质为锗单质或二硫化锗，所述的含Ga物质为镓单质或三硫化二镓；所述的固相反应的步骤为：将含Li物质、含Ga物质、含Ge物质及单质S按摩尔比Li:Ga:Ge:S＝1:1:2:6的比例配料，研磨、混合均匀，装入石英管中，对石英管抽真空，熔化封装，放入马弗炉中，以10‑50℃/小时的速率升温至800‑950℃，恒温烧结10‑24小时，待冷却后取出样品；将取出的样品重新研磨、混合均匀，再置于石英管中，抽真空，熔化封装，再放入马弗炉中，以10‑50℃/小时的速率升温至800‑950℃，恒温烧结10‑24小时，后经捣碎研磨，即可。