[发明专利]溅镀装置及溅镀方法

摘要

本发明提供一种形成高平坦度且低电阻率的ITO膜的溅镀装置及溅镀方法。对旋转型的磁控阴极对所供给的溅镀电力为1.5kW/m以下。因此，在有LIA辅助溅镀处理的形态下所形成的ITO膜的平坦度比在无LIA辅助溅镀处理的形态下所形成的ITO膜的平坦度要高。其结果，本发明中，能够形成高平坦度的ITO膜，因而较为理想。而且，ITO膜的电阻率成为120μΩcm以下的低电阻率，因而较为理想。

主权项

1.一种溅镀装置，其在所搬送的基材的主面溅镀形成氧化铟锡膜，所述溅镀装置的特征在于包括：真空腔室，在内部形成处理空间；溅镀气体供给部，向所述处理空间供给溅镀气体；反应性气体供给部，向所述处理空间供给反应性气体；至少一个等离子体处理部，在所述处理空间内执行等离子体处理；以及搬送机构，沿着搬送路径面来搬送所述基材，所述搬送路径面包含与所述至少一个等离子体处理部相向的至少一个被成膜部位，所述至少一个等离子体处理部各自包括：阴极对，使2个旋转阴极在所述处理空间内隔着一定距离相向配置而成，所述2个旋转阴极为圆筒状且外周面由包含铟、锡及氧的靶材料所被覆；旋转部，使所述2个旋转阴极绕各自的中心轴线旋转；溅镀电力供给部件，对所述2个旋转阴极分别供给1.5kW/m以下的溅镀电力；2个磁场形成部，分别被收容在所述2个旋转阴极的内部，并在所述外周面中的自身附近形成磁场；至少一个低电感天线，在所述处理空间中的包含形成有所述磁场的部分的空间产生感应耦合等离子体；以及高频电力供给部件，对所述至少一个低电感天线供给高频电力。