[发明专利]闸极驱动电路有效
| 申请号： | 201610075959.0 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107025886B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 卢泓谕 | 申请（专利权）人： | 矽创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闸极驱动电路，包括：m个P通道晶体管及m个N通道晶体管，其包含一第一P通道晶体管、一第二P通道晶体管、一第一N通道晶体管及一第二N通道晶体管，该多个晶体管分别具有一闸极、一源极、一汲极及一连接该源极的基极；以及一输出端，电性连接该第二N通道晶体管的汲极以及该第二P通道晶体管的汲极；其中，该第一P通道晶体管的源极连接一第一电压源，其闸极接收一第一控制电压；该第一N通道晶体管的源极连接一第二电压源，其闸极接收一第二控制电压；该第二P通道晶体管的源极连接该第一P通道晶体管的汲极，其闸极接收一第三控制电压；该第二N通道晶体管的源极连接该第一N通道晶体管的汲极，其闸极接收一第四控制电压。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种闸极驱动电路，其特征在于，包括：m个P信道晶体管及m个N通道晶体管，其包含一第一P通道晶体管、一第二P通道晶体管、一第一N通道晶体管及一第二N通道晶体管，该多个晶体管分别具有一闸极、一源极、一汲极及一连接该源极的基极，且m为至少大于等于2的整数；以及一输出端，电性连接该第二N通道晶体管的汲极以及该第二P通道晶体管的汲极；其中，该第一P通道晶体管的源极连接一第一电压源，其闸极接收一第一控制电压；该第一N通道晶体管的源极连接一第二电压源，其闸极接收一第二控制电压；该第二P通道晶体管的源极连接该第一P通道晶体管的汲极，其闸极接收一第三控制电压；该第二N通道晶体管的源极连接该第一N通道晶体管的汲极，其闸极接收一第四控制电压；其中，该多个控制电压使得该m个P通道晶体管皆被导通且该m个N通道晶体管皆被关闭，或该m个N通道晶体管皆被导通且该m个P通道晶体管皆被关闭。
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