[发明专利]闸极驱动电路

说明书

本发明公开了一种闸极驱动电路，包括：m个P通道晶体管及m个N通道晶体管，其包含一第一P通道晶体管、一第二P通道晶体管、一第一N通道晶体管及一第二N通道晶体管，该多个晶体管分别具有一闸极、一源极、一汲极及一连接该源极的基极；以及一输出端，电性连接该第二N通道晶体管的汲极以及该第二P通道晶体管的汲极；其中，该第一P通道晶体管的源极连接一第一电压源，其闸极接收一第一控制电压；该第一N通道晶体管的源极连接一第二电压源，其闸极接收一第二控制电压；该第二P通道晶体管的源极连接该第一P通道晶体管的汲极，其闸极接收一第三控制电压；该第二N通道晶体管的源极连接该第一N通道晶体管的汲极，其闸极接收一第四控制电压。

技术领域

本发明涉及一种闸极驱动电路，特别是指一种以低耐压晶体管所组成电路来实现高电压输出的闸极驱动电路，其可用以驱动液晶显示器的薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor，简称TFT)。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film-Transistor Liquid-Crystal Display，简称TFTLCD)在显示画面影像时，通常通过闸极驱动电路提供足够大的电压来驱动各个像素的薄膜晶体管，以开启或关闭该像素，再通过源极驱动电路提供决定该像素亮度或灰阶的驱动电压。

液晶显示器驱动电路芯片包含多种耐压等级的晶体管，各耐压等级所能承受的电压范围可能随着半导体技术的发展而有所改变；就目前技术而言，耐压约1.5～1.8伏特则可称为低耐压晶体管，耐压约5～6伏特则可称为中耐压晶体管，及耐压约25～30伏特则可称为高耐压晶体管。为了驱动薄膜晶体管，闸极驱动电路常以高压晶体管来设计；然而，高压晶体管意味着电路芯片的制造过程必须使用更多光罩及制造时间，导致较高的制造成本。因此，有必要发展新的闸极驱动电路以对其进行改善。

发明内容

因此本发明的目的之一即在于解决上述问题。

根据本发明的一实施例，其提供一种闸极驱动电路，其包括：m个P通道晶体管及m个N通道晶体管，其包含一第一P通道晶体管、一第二P通道晶体管、一第一N通道晶体管及一第二N通道晶体管，该多个晶体管分别具有一闸极、一源极、一汲极、及一连接该源极的基极，且m为至少大于等于2的整数；以及一输出端，电性连接该第二N通道晶体管的汲极以及该第二P通道晶体管的汲极；其中，该第一P通道晶体管的源极连接一第一电压源，其闸极接收一第一控制电压；该第一N通道晶体管的源极连接一第二电压源，其闸极接收一第二控制电压；该第二P通道晶体管的源极连接该第一P通道晶体管的汲极，其闸极接收一第三控制电压；该第二N通道晶体管的源极连接该第一N通道晶体管的汲极，其闸极接收一第四控制电压；其中，该多个控制电压使得该m个P通道晶体管皆被导通且该m个N通道晶体管皆被关闭，或该m个N通道晶体管皆被导通且该m个P通道晶体管皆被关闭。

在本发明的一实施例中，该闸极驱动电路用以驱动液晶显示器的薄膜晶体管。

在本发明的一实施例中，该第一电压源与该第二电压源之间的电压差大于该多个晶体管的该闸极、该源极及该汲极中任意两端之间的耐压。

在本发明的一实施例中，一预设电压Vt设定为(Vgh-Vgl)/m，则当该第一控制电压及该第三控制电压为Vgh-Vt，该第二控制电压为Vgl，且该第四控制电压为Vgl+Vt时，该输出端的输出电压为Vgh，其中Vgh与Vgl分别表示该第一电压源与该第二电压源所提供的电压。

在本发明的一实施例中，一预设电压Vt设定为(Vgh-Vgl)/m，则当该第一控制电压为Vgh，该第二控制电压及该第四控制电压为Vgl+Vt，且该第三控制电压为Vgh-Vt时，该输出端的输出电压为Vgl，其中Vgh与Vgl分别表示该第一电压源与该第二电压源所提供的电压。