[发明专利]键合晶圆的硅穿孔互连工艺及键合晶圆

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种键合晶圆的硅穿孔互连工艺及键合晶圆，在键合晶圆的待形成硅穿孔的区域中，设置位于第一晶圆中的第一金属层和位于第二晶圆中的第二金属层在垂直方向上部分重叠，以在形成硅穿孔的过程中，利用蚀刻中对金属层和绝缘层的蚀刻速率差异，采用第二金属层作为蚀刻第一金属层之上的绝缘层的阻挡层，实现两层金属层的通孔自对准，从而将硅穿孔互连工艺中的光刻掩膜板从三块减至两块，并减少对应的工艺步骤，提高了生产效率，降低了成本。

主权项

一种键合晶圆的硅穿孔互连工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，提供一键合晶圆，所述键合晶圆设置有互不接触的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层和所述第二金属层在垂直方向上部分重叠；步骤S2，刻蚀位于所述第一金属层和所述第二金属层之上的所述键合晶圆，以形成沟槽；步骤S3，基于所述沟槽的基础上，继续以所述第二金属层为阻挡层刻蚀部分所述键合晶圆，以形成将所述第一金属层的部分表面和所述第二金属层的部分表面均予以暴露的互连硅穿孔。