[发明专利]全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法

摘要

本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，采用间接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤；该方法所得前表面场的表面浓度可达3E17cm‑3到1E18cm‑3，结深为0.1μm‑0.2μm，所得前表面场同时覆盖了一层5nm到15nm的热氧化硅薄层。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。

主权项

一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，其特征在于，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤；所述一步空管运行饱和步骤包括：在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中空舟进舟，再在800℃‑950℃于氧气、氮气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积，然后在氮气气氛中于800℃‑810℃出舟；所述氧化步骤包括：在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃‑950℃于氧气和氮气气氛中进行残余磷源扩散和氧化，然后在氮气气氛中于800℃‑810℃出舟；所述超低表面浓度的前表面场表面浓度在3E17cm‑3到1E18cm‑3。